Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Теоретическая часть



 

Исследуемая схема показана на рис.1 .статический коэффициент передачи тока определяется как отношение тока коллектора Ik к току базы IБ :

Коэффициент передачи тока bАС определяется отношением приращения DIK коллекторного тока к вызывающему его приращению DIБ базового тока:

Дифференциальное входное сопротивление rВХ транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер. Оно может быть найдено как отношение приращения напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению DIБ тока базы:

Дифференциальное входное сопротивление rВХ транзистора в схеме с ОЭ через параметры транзистора определяется следующим выражением:

 

,

где rБ – распределенное сопротивление базовой области полупроводника,

rЭ – дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из выражения: rЭ=25/IЭ, где IЭ – постоянный ток эмиттера в миллиамперах.

Первое слагаемое rБ в выражении много меньше второго, поэтому им можно пренебречь:

Дифференциальное сопротивление rЭ перехода база-эмиттер для биполярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением rВХОБ транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксированном значении напряжения база-коллектор. Оно может быть найдено как отношение приращения DUБЭ к вызванному им приращению DIЭ тока эмиттера:

 

.

Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением:

.

Первым слагаемым в выражении можно пренебречь, поэтому можно считать, что дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер приблизительно равно:

.