Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Со встроенным каналом



 

Для исследования семейства выходных ВАХ полевого транзистора в схеме с ОИ используется вышеуказанная схема. Она содержит:

источник напряжения затвор-исток Ug

источник питания Ucc

вольтметр Ud для контроля напряжения сток-исток

амперметр Id для измерения тока стока

Выходная ВАХ снимается при фиксированных значениях Ug путем изменения тока стока Id. Напряжение Ug, при котором ток Id имеет близкое к нулю значение, называется напряжением отсечки.

 

Исследование характеристик МДП – транзистора

Измеренные данные занести в таблицу 2

 

Таблица 2

Uзи = 1 В Uзи = 0 В Uзи = -1 В Uзи = -2 В
Uис , В Iс , мА Uис , В Iс , мА Uис , В Iс , мА Uис , В Iс , мА
0.1   0.1   0.1   0.1  
0.3   0.3   0.3   0.3  
0.5   0.5   0.5   0.5  
       
       
       
       
       
       
       

 

Построить с использованием данных таблицы 2 семейство стоковых характеристик и стоко-затворную характеристику МДП-транзистора со встроенным каналом и определить основные параметры.

 

 

Контрольные вопросы

 

1. Объяснить принцип действия каждого вида полевых транзисторов.

2. Как определяются по характеристикам основные параметры полевых транзисторов?

3. Объяснить стоковые характеристики каждого вида полевых транзисторов?

4. Отличия стоко-затворных характеристик МДП-транзисторов со встроенным и индуцированным каналом.

5. Условные графические обозначения полевых транзисторов.

 

 

Приложения

 

Диалоговые окна для корректировки параметров МДП-транзистора со встроенным каналом.

 

Выбрать Edit для редактирования