Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЕ ВОПРОСЫ И ВОПРОСЫ К ЗАЧЕТУ



1. Физика образования электронно-дырочного перехода. Потенциальный барьер, способы его изменения. Энергетическая диаграмма p-n перехода в состоянии равновесия.

2. Физика образования переходного слоя контакта металл-проводник. Энергетическая диаграмма и потенциальный барьер этого перехода.

3. Прямое смещение p-n перехода. Инжекция, рекомбинация носителей заряда. Распределение основных и неосновных носителей заряда в структуре перехода. Явление накопления неосновных носителей.

4. Обратное смещение p-n перехода. Экстракция, генерация носителей заряда. Энергетическая диаграмма, составляющие обратного тока.

5. Вольт-амперная характеристика диода на основе p-n перехода. Токи и напряжение диода при прямом и обратном смещении. Эквивалентное представление диода при прямом и обратном смещении.

6. * Переходные процессы в диоде при включении, выключении и переключении. Временные диаграммы токов и напряжений. Динамические диаграммы.

7. * Типы полупроводниковых вентилей. Основные параметры. Возможные практические применения.

8. * Структура и принцип действия p-n-p транзистора в активном усилительном режиме. Коэффициенты усиления токов эмиттера и базы, их физическая интерпретация. Электрические схемы обеспечения этого режима при включении транзистора с общей базой и с общим эмиттером.

9. * Структура и принцип действия n-p-n транзистора в режимах отсечки и насыщения. Электрическая схема обеспечения этих режимов. Основные параметры транзистора в режимах насыщения и отсечки.

10.* Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора, включённого по схемам с ОБ и ОЭ. Физическая интерпретация их вида.

11.Эквивалентная схема транзистора на основе h-параметров. Определение h-параметров в рабочей точке транзистора. Использование эквивалентной схемы транзистора для анализа качественных показателей усилителей.

12.* Синтез электрической схемы усилительного каскада на биполярном транзисторе. Обеспечение положения рабочей точки усилителя по постоянному току.

13.* Синтез ключевой схемы на биполярном транзисторе. Временные диаграммы токов и напряжений транзистора при работе в ключевом режиме. Динамические параметры, определяющие инерционность ключа.

14.Интегральные биполярные транзисторы: многоэмиттерный, многоколлекторный, составной, с барьером Шоттки. Структуры, особенности, принцип работы.

15.Устройство и принцип действия тиристора. Причины, вызывающие включение тиристора и удержания его во включённом состоянии. Вольт-амперные характеристики и параметры тиристоров.

16.* Способы выключения тиристоров. Статические и динамические параметры тиристоров.

17.* Схема двунаправленного переключения тиристора по аноду. Траектория рабочей точки, временные диаграммы.

18.* Схема двунаправленного переключения тиристора по управляющему электроду. Траектория рабочей точки, временные диаграммы.

19.Устройство и принцип действия полевых транзисторов с изолированным переходом. Структура, вольт-амперные характеристики, условные графические изображения транзисторов.

20.Устройство и принцип действия полевых транзисторов, управляемых переходом (p-n переходом и переходом Шоттки). Структура, вольт-амперные характеристики, условные графические изображения транзисторов.

21.* Обеспечение рабочего режима полевого транзистора для усиления гармонического сигнала. Траектория рабочей точки, временные диаграммы.

22.*Обеспечение работы полевого транзистора в режиме ключа. Траектория рабочей точки, временные диаграммы с учётом инерционности переключения транзистора.

23.Эквивалентная схема полевого транзистора на основе многосигнальных параметров. Определение малосигнальных параметров по ВАХ транзистора для данной рабочей точки. Использование эквивалентной схемы для анализа качественных показателей усиления.

24.Полупроводниковые излучатели. Принцип действия и характеристики.

25. Полупроводниковые фотоприёмники. Принцип действия и характеристики.

 

Примечание

Вопросы, помеченные звездочкой, используются при проведении зачета.

 

СОДЕРЖАНИЕ

1. Информация о дисциплине3

1.1. Предисловие 3

1.2. Содержание дисциплины и виды учебной работы 4

1.2.1. Содержание дисциплины по ГОС 4

1.2.2. Объем дисциплины и виды учебной работы 4

1.2.3. Перечень видов практических занятий и контроля 5

2. Рабочие учебные материалы5

2.1. Рабочая программа 5

2.2. Тематический план дисциплины 8

2.3. Структурно-логическая схема дисциплины 13

2.4. Временной график изучения дисциплины 14

2.5. Практический блок 14

2.5.1. Практические занятия 14

2.5.2. Лабораторные работы 16

2.6. Бально-рейтинговая система оценки знаний 17

3. Информационные ресурсы дисциплины 18

3.1. Библиографический список 18

3.2. Опорный конспект 19

3.3. Глоссарий 91

3.4. Методические указания к выполнению лабораторных работ 92 3.5.Методические указания к проведению практических занятий 121

 

4. Блок контроля освоения дисциплины 124

4.1. Общие указания 124

4.2. Задания на контрольные работы

и методические указания к их выполнению 125

4.2.1. Контрольная работа №1 126

4.2.2. Контрольная работа №2 135

4.4 Текущий контроль 139

4.5 Итоговый контроль 144