Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Порядок выполнения работы



 

По аналогии с биполярными транзисторами различают три схемы включения полевых транзисторов: с общим затвором (ОЗ), с общим истоком (ОИ) и с общим стоком (ОС).

 

Схема (ОИ) для исследования ВАХ полевого транзистора

с управляющим p – n переходом

Где: Ug – источник напряжения затвор – исток.

Ucc – напряжение источника питания.

вольтметр Ud для контроля напряжения сток – исток.

Амперметр Id для измерения тока стока.

Выходная ВАХ снимается при фиксированных значениях Ug путем изменения напряжения Ud и измерения тока стока Id. Напряжение Ug, при котором ток Id имеет близкое к нулю значение, называется напряжением отсечки.

Исследование полевого транзистора с управляющим p-n переходом

Измеренные данные занести в таблицу 1

Таблица 1

Uзи = 0 В Uзи = -0.3 В Uзи = -0.5 В Uзи = -1 В
Uис , В Iс , мА Uис , В Iс , мА Uис , В Iс , мА Uис , В Iс , мА
0.1   0.1   0.1   0.1  
0.2   0.2   0.2   0.2  
0.3   0.3   0.3   0.3  
0.4   0.4   0.4   0.4  
0.5   0.5   0.5   0.5  
       
       
       
       
       

Построить с использованием данных таблицы 1 семейство стоковых характеристик и стоко-затворную характеристику полевого транзистора с p-n переходом и определить основные параметры.

 

Схема для исследования ВАХ МДП-транзистора




Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.