Мои Конспекты
Главная | Обратная связь

...

Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Сборка кристаллов в 3D-изделиях





Помощь в ✍️ написании работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

В настоящее время существуют следующие методы:

3D-интеграции:

• чип на чипе (этажерочная сборка);

• пластина на пластине , или вертикальная системная ин

теграция (VSI);

• корпус на корпусе .

Этажерочная сборка кристаллов (чипов) с их разваркой (для создания межсоединений) уже много лет используется такими компаниями, как Intel, Hitachi, Sharp, Amkor, Philips и др. Сборка же кристаллов друг на друга на уровне пластины способствует повышению производительности и снижению стоимости производства. Вертикальная система интеграции (VSI) характеризуется очень высокой плотностью выводов, которые свободно рас-пространяются через отверстия в кремниевых кристаллах.

Технология VSI включает следующие этапы:

• формирование отверстий (методом лазерной прошивки,

реактивного ионного травления или фотолитографии);

• заполнение отверстий (металлизацией, химическим

осаждением или фотолитографией);

• монтаж пластин друг на друга (совмещение и монтаж);

• утонение пластин до отдельных кристальных сборок

(шлифовка или травление).

Таким образом, требования к VSI – высокая точность операции утонения, формирование надежных стержней-выводов между кристаллами и соответствующий процесс монтажа. Большой вклад в разработку технологии VSI на уровне пластины внесли специалисты Фраунгоферовского исследовательского центра в Мюнхене (FraunhoferIZM).

Технологию VSI можно выполнить двумя методами – монтажа кристаллов на пластину и монтажа пластины на пластину. Согласно первому методу, соединения формируются разваркой или по технологии FlipChip, согласно второму – по технологии формирования сквозных отверстий в кремнии (Through-SiliconVia – TSV).

Метод формирования сквозных отверстий для выполнения вертикальной интеграции имеет ряд преимуществ перед методом монтажа кристаллов на пластину. К ним относятся более высокая плотность монтажа при сопоставимых размерах пластины, большая функциональность, лучшие характеристики (параллельность выводов, минимальная длина соединений , меж соединения не ограничивают скорость распространения сигнала), более низкое энергопотребление и меньшая стоимость конечного изделия.

Разделение пластины на кристаллы LDS200M

Точность позиционирования установки составляет ± 3 мкм, ширина реза – 20 мкм, максимальная рабочая область – 240×240 мм, максимальная скорость реза – 1000 мм/с, тип лазера – твердотельный Nd:YAG, длина волны 532 или 1024 нм, мощность 120 Вт, загрузка – ручная/кассетная. В установке предусмотрена автоматическая система совмещения.

Установка глубокого реактивного ионного травления PlasmaLab 100 Установка имеет кластерную конфигурацию с числом газовых линий до 12, шлюзовую камеру с ручной загрузкой, RIE-модуль с планарным реактором на частоту 13,56 МГц. Размер электродов – 205, 240 мм. Управляется программным обеспечением.

Установка нанесения фоторезиста SC6 имеет модульный дизайн. Максимальный диаметр обрабатываемой пластины составляет 200 мм, максимальный размер подложки – 150×150 мм. Скорость вращения шпинделя достигает 10 000 об/мин. В систему входит программируемый контроллер (PLC), обеспечивающий программирование параметров процесса нанесения фоторезиста.

Оборудование для напыления металлов (рис.4)представляет собой установку вакуумного магнетронного напыления и осаждения горизонтальных линий.

Установка монтажа кристаллов FC150 позволяет обрабатывать подложки размером 0,2–150 мм, размер кристаллов составляет 0,25–100 мм. Точность достигает ±0,5 мкм, 3 σ, усилие захвата/монтажа – 200 кг. Производительность установки – 200 компонентов/ч. Предназначена для монтажа многокристальных модулей (MCM), гибридных схем, инфракрасных фокальных плоскостных матриц (IRFPA), монтажа методом перевернутого кристалла, получения эвтектических соединений, тиснения кристалла.

Установка механического утонения пластин DH300 позволяет обрабатывать пластины диаметром до 300 мм. Скорость вращения пластины составляет 0–160 об/мин. Скорость вращения держателя пластины — 0–125 об/мин, давление прижима держателя – 0,06–0,3 бар, размер полировальной пластины – 560 мм. Максимальная температура плиты 60°С.

Глава 2. Технологическая часть.

Доверь свою работу ✍️ кандидату наук!
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой



Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.