Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Основні параметри діода



1 Найбільший прямий струм

2 Найбільша припустима амплітуда зворотної напруги

3 Максимальний зворотний струм

4 Спадання напруги на діоді

5 Гранична частота

6 Робочий діапазон частот

 

 

8. порівняльна характеристика германиевых і кремнієвих діодів

- Зворотна галузі германиевого діода має галузі насичення (Si не має) і зі збільшенням температури зменшується напруга пробою.

- Теоретично зворотний струм германиевого діода повинен бути більше чому в кремнієвого й на 6 порядків, а на практиці тільки на 2.

- Пряма галузі Ge починається з 0В, а в Si – з 0,3В

- ВАХ Ge і Si діодів

- Через меншу ширину забороненої зони в германиевого діода , а .

(Ge має високі якості)

 

9. випрямні діоди. Основні параметри й характеристики

Відрізняються від силових тим, що мають малі площі p-n-переходу й отже малі ємності, більш високі концентрації областей, що дозволяє зменшити послідовні опори, тим самим підвищити граничні частоти.

 

Еквівалентна схема діода.

 

Переважають германиєві діоди високої частоти, тому що германій має більшу рухливість і меншою прямою напругою.

Діоди ВЧ працюють при малих напругах.

Випрямні напівпровідникові діоди використовуються як вентилі (елементів з однобічною провідністю) у пристроях пpеобpазования змінного струму в постійний. Випрямні діоди розрізняють по матеріалу, використовуваному для утвору p-n переходу (германиевые, кремінні й інші), а також за припустимим значенням прямого струму (діоди малої середньої й великої потужності)


Паpаметpи випpямних діодів: У якості паpаметpов выпpямительных діодів використовуються статичні паpаметpы, а також электpические величини опpеделяющие їх pаботу у выпpямительных схемах: сpедний пpямой струм Iпp.сp - за пеpиод значення пpямого струму; Iобp.сp-сpеднее за пеpиод значення обpатного струму; сpедний выпpямленный струм Iвп.сp-сpеднее за пеpиод значення выпpямленного струму (з обліком обpатного струму); сpеднее пpямое напpяжение Uпp.сp сpеднее за пеpиод значення пpямого напpяжения пpи заданому сpеднем значенні пpямого струму й сpедняя pассеиваемая потужність Pсp.д - сpедняя за пеpиод потужність, pассеиваемая діодом пpи пpотекании струму в пpямом і обpатном напрямків. Так само використовуються динамічні характеристики (час включення й час вимикання) і частотні характеристики.


10. імпульсні діоди

Використовуються в пристроях автоматики, обчислювальної техніки; є високочастотними, мають малу бар'єрну ємність і опір. В імпульсному режимі можуть працювати також і високовольтні силові діоди.

Призначення ИД – відокремити напруги різної полярності або перетворити двуполярный імпульс в однополярний, а також у якості обмежників імпульсів.

Схема включення діода.

Робота імпульсного діода в режимі малого рівня сигналу (малого рівня інжекції) і в режимі великого сигналу (великого рівня інжекції).

 

 

Схема включення імпульсного діода.

 

11. робота імпульсного діода при малому рівні інжекції

При різкому зростанні напруги в момент часу t1 струм протікає через Rб і ємність ІЗ, тому що імпульс містить високі частоти, то ємність є замкненої накоротко й тому амплітуда струму в момент t1 визначається прикладеною напругою й Rб.

У міру заряду З діода, напруга на конденсаторі зростає, а на Rб напругу зменшується, що веде до зменшення струму через діод. Струм через p-n-перехід при цьому росте відповідно до ВАХ.

У момент t2 ємність повністю заряджена й протікає струм через p-n-перехід відповідно до напруги, прикладеної до цього переходу.

У момент t3 Uвх різко ухвалює первісне значення й починає протікати струм у зворотному напрямку. Коли конденсатор розрядиться повністю до первісного значення, то через p-n-перехід буде протікати первісний струм.

 

12. робота імпульсного діода при високому рівні інжекції

Імпульс може бути одне або двухполярный

У режимі великого сигналу вхідний сигнал може змінюватися від негативної полярності до позитивної.

У момент часу від t0 до t1 – діод закритий, через нього протікає невеликий зворотний струм.

У момент t1 Uвх різко змінюється й стає позитивним і струм протікає через Rб і Rд. Значення струму в цей момент визначається опором бази. Значення струму в цей момент визначається опором бази. Починається зарядка Сд. Напруга на p-n-переході росте й починає протікати струм через p-n-перехід і відбувається збільшення інжекції носіїв, при цьому Rб зменшується, а струм наростає. У момент t2 він досягає максимального значення по ВАХ і залишається незмінним. У момент t3 при зміні полярності Uвх на зворотне починає протікати зворотний струм, значення якого визначається опором бази. Значення цього струму зберігається, поки концентрація инжектированных носіїв не досягнеться максимального значення, а потім струм почне зменшуватися. t3 – t4 – час рассасывания.

За час t4 – t5 відновлюється Iобр і зменшується до свого первісного значення.

 

13. стабілітрони. Основні параметри й характеристики

Стабілітрони (СТ) - п/п діоди, принцип дії яких заснований на використанні пробою p-n-переходу (електричного пробою). Існує польовий і лавинний пробій, тому використовують польові й лавинні стабілітрони.

При напрузі до 5В – тунельний, більш 7 В-В- лавинний. Якщо 5<Uпр<7- змішаний.

Випускають стабілітрони на напруги від одиниць до сотень вольтів і на струми від одиниць міліамперів до сотень амперів. Пробивна напруга залежить від концентрації, те, змінюючи концентрацію, можна в широких межах міняти напругу стабілізації в стабілітроні. Виготовляють із Si, тому що краще теплові характеристики, більш різка залежність характеристики в області пробою. Стабілітрон працює на зворотному включенні.

 
 

ВАХ стабілітрона:

Параметри стабілітрона:

1 Напруга стабілізації визначається конструкцією.

2 Мінімальний струм стабілізації величина, обмежена значенням ВАХ, де спостерігається нестабільність.

3 Максимальний струм стабілізації- величина цього струму обмежена значенням струму через стабілітрон, при якому стабілітрон ще може відводити виділюване тепло. Перевищення значення максимально припустимого струму веде до перегріву приладу.

4 Динамічний опір стабілітрона .

5 Статичний опір

6 Температурний коефіцієнт напруги стабілітрона- Графік перетинає від 5 до 7 В.

 
 

 

14. стабілізація напруги за допомогою стабілітрона

Схема здійснення стабілізації

 

Завдання стабілітрона стабілізувати струм через навантаження.

При збільшенні росте , а струм навантаження не змінюється, при зменшенні U зменшується , а струм навантаження не змінюється. Завдання стабілітрона- скидати через себе більші зворотні струми, залишаючи при цьому Iн постійним. У результаті одержуємо незмінний струм навантаження. Стабілізацію напруги здійснює опір навантаження.

15. тунельний діод. Принцип дії

ТД - напівпровідниковий прилад, у якому використовують тунельний ефект переходу.

Тунельний ефект спостерігається в переході з високою концентрацією областей, що становлять перехід, напівпровідники є вырожденными ( по властивостях близькі до металів), у цьому випадку для р-напівпровідника рівень Ферми перебуває у валентній зоні, для напівпровідника n-типу - у зоні провідності. Зонні діаграми такого переходу:


І у валентній зоні й у зоні провідності можуть перебуває вільні електрони й вільні рівні (звичайно, усі валентні зони зайняті).


Перехід цього типу має дуже маленьку величину до 10-8 м (0,01 мкм)

Якщо прикласти напругу, то відбувається скривлення, при нульовій напрузі- динамічна рівновага.


(1-2)-ділянка негативного диференціального опору (тунельні ефект). Це й відрізняє ТД від звичайного.




Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.