Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Класифікація БПТ



· За матеріалами (Ge,Si,Gaas)

· По типу електропровідності (n-p-n; p-n-p)

· По способу виготовлення(крапкові, дифузійні, сплавні, эпитаксиальные, планарные)

· По робочих частотах ( Нч- До3мГц, Вч- Від3мГц)

· По потужності (малопотужні р<0,3Вт, середньої потужності р=0,3-1,5Вт, потужні р≥1,5Вт)

 

20. Принцип дії біполярного транзистора

Якщо на ЭБ і КБ подавати нульові значення напруги, то це відповідає стану динамічної рівноваги. Через p-n-перехід протікає 4 складових токи (дифузійні й дрейфові струми в обох напрямках) тобто струмів у жодній ланцюзі немає.

Якщо ИКБ=0, а ИЭБ збільшувати в прямому напрямку, то буде зростати IЭ, що відповідає прямої галузей ВАХ эмиттерного переходу (т.е працює як звичайний діод у прямому включенні)

Якщо ИЭБ=0, а ИКБ збільшувати у зворотному напрямку то спостерігається зворотна галузі колекторного переходу.

Якщо на ЭБ подати пряма напруга, а на Ка-Зворотне й постійно їх збільшувати, то спостерігаємо 2 взаємодіючих p-n-переходу, це відповідає активному режиму. Тому принцип дії БПТ полягає в наступному: зсув ЭП приводить до інжекції дірок в область бази, а електрони з бази инжектируются в область эмиттера. Дірки в базі розподіляються по всьому переходу й досягтися КП, де полем перекидаються в ДО, тим самим створюючи додатковий IК.

Не всі дірки досяглися ДО, т. до частина дірок рекомбінувало в базі, тому ∆IK=α∆IЭ → α=∆IK /∆IЭ≈0,99

Де α-коефіцієнт передачі по струму.

У зв'язку з тим, що частина електронів рекомбінувало з дірками, у базі створюється некомпенсований позитивний заряд, який із зовнішнього ланцюга притягає електрони, що створюють струм бази

IЭ=IК+IБ – основний закон розподілу струму в Є.

∆IЭ=∆IК+∆IБ

Електрони, инжектирующие з Б у Э рекомбінують із дірками й не впливають на струм, а тільки знижують ефективність Є.

Т. про струм До пов'язаний зі струмом Э коефіцієнтом, міняючи IЭ можна управляти IK, які протікають у вихідному ланцюзі транзистора. У цьому полягає ефект БПТ

 

21. режим роботи біполярного транзистора

1 – область насичення (прямосмещенные эмитерный і колекторний переходи)

2 – область відсічення (використовується в ключовому режимі)

3 – активна область (використовується в підсилювальних каскадах на транзисторах)

4 – область лавинного пробою (неробоча область)

Кожний з p-n переходів транзистора може бути зміщений або в прямому, або у зворотному напрямку. Залежно від цього розрізняють три режими роботи транзистора:

1. режим відсічення – обоє p-n переходу зміщені у зворотному напрямку, при цьому через транзистор проходять порівняно невеликі струми;

2. режим насичення – обоє p-n переходу зміщені в прямому напрямку, при цьому через транзистор проходять відносно більші струми;

3. активний режим – один з p-n переходів зміщений у прямому напрямку, а іншої – у зворотному напрямку.

У режимі відсічення й режимі насичення керування транзистором майже отсутствует. В активному режимі таке керування здійснюється найбільше ефективно, причому транзистор може виконувати функції активного елемента електронної схеми (посилення, генерування, перемикання й т.п.)

 

22. схеми включення біполярного транзистора

Т.к. БПТ має 3 виводу, то існує й 3 схеми включення.

1. Із загальним Е.


Iэ=IБ+Iк


с ОЭ йде посилення по потужності ( по струму й по напрузі)

2. Із загальної Б.



ІЗ ПРО йде посилення по напрузі

3. Із загальним К.



с ОК іде посилення по струму




Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.