Статичні ВАХ БПТ у схемі із загальною базою

Для струмів через переходи БПТ можна записати

I_к= αNIЭП-IКП I_Э= IЭП-αIIКП

αn-норм. включ.

I_Б= IЭ-IК

I_ЭП=I_ОЭ(e -1)

I_КП=I_ОК(e -1)

I_Э=I_ОЭ(e -1)-αI I_ОК(e -1)

IR=αN I_ОЭ(e -1)- I_ОК(e -1)

Вхідні характеристики транзистора

Внаслідок слабкого впливу U_кбхарактеристика при U_кб≠0 дуже мало відрізняються від характеристики при U_кб=0, тому в довідниках, як правило показані тільки дві залежності : U_кб=0 і U_кб≠0.

Вихідні характеристики БПТ із ПРО

БПТ управляється вхідним струмом.

1 – область насичення (прямосмещенные эмитерный і колекторний переходи)

2 – область відсічення (використовується в ключовому режимі)

3 – активна область (використовується в підсилювальних каскадах на транзисторах)

4 – область лавинного пробою (неробоча область)

Поиск по сайту: