Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Статичні ВАХ БПТ у схемі із загальною базою



Для струмів через переходи БПТ можна записати


Iк= αNIЭП-IКП IЭ= IЭП-αIIКП

αn-норм. включ.

 
 

αI- ин. включ.


IБ= IЭ-IК

IЭП=IОЭ(e -1)

IКП=IОК(e -1)

IЭ=IОЭ(e -1)-αI IОК(e -1)

IR=αN IОЭ(e -1)- IОК(e -1)


Вхідні характеристики транзистора



Внаслідок слабкого впливу Uкбхарактеристика при Uкб≠0 дуже мало відрізняються від характеристики при Uкб=0, тому в довідниках, як правило показані тільки дві залежності : Uкб=0 і Uкб≠0.


Вихідні характеристики БПТ із ПРО

БПТ управляється вхідним струмом.



1 – область насичення (прямосмещенные эмитерный і колекторний переходи)

2 – область відсічення (використовується в ключовому режимі)

3 – активна область (використовується в підсилювальних каскадах на транзисторах)

4 – область лавинного пробою (неробоча область)





Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.