На поведінку біполярного транзистора в діапазоні частот вплив виявляють реактивні елементи еквівалентної схеми - ємності р-n переходів, а високих і надвисоких частотах ще й індуктивності введення виводу.
Динамічна модель Эберса – Молла має вигляд:
1) Затримка сигналу відбувається через вплив ємності эмиттерного переходу, а саме, при вступі сигналу частина струму буде протікати через ємність, що вже приводить до затримки сигналу або зсуву фази сигналу.
2) На вхідний сигнал впливає час прольоту носіїв через базу.
3) Ще одним фактором, що впливають на поведінку БПТ і його частотні характеристики, є час прольоту носіїв заряду через збіднений шар колекторного переходу.
4) Вплив бар'єрної ємності колекторного переходу, тобто частина струму проходить через цю ємність і минаючи колекторний перехід іде на землю.
Коефіцієнти підсилення залежать від частоти, причому як видне з малюнка гранична частота в схемі із загальною базою значно більше, чим у схемі із загальним эмиттером. Звідси випливає, що схема із загальною базою є більш широкосмугової, але це не виходить, що ця схема має кращі підсилювальні властивості.