Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Полевые транзисторы. Классификация, параметры



Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, содержащий три или более электродов, в котором ток создается носителями одного знака, а управление током осуществляется электрическим полем.

Все полевые транзисторы по своим конструктивным особенностям можно разделить на две группы:

– полевые транзисторы с p–n-переходом;

– полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП -транзисторы).

       
 
   

 

 


Полевой транзистор с управляющим переходом (ПТУП) (рисунок а). Область полупроводника, поперечное сечение которого управляет­ся внешним напряжением, называется каналом (1). Если подключить к каналу напряжение, то через пластинку полупроводникового прибора потечет ток. Омический контакт, от которого начинают движение основные носители заряда, называется истоком (2), а омический контакт (электрод), к которому они движутся через ка­нал, - стоком (3). Электрод, используемый для управления эффектив­ной толщиной канала, называется затвором (4). При подаче отрицательного напряжения на затвор запирающий слой (5) расширяется, что приводит к сужению токопроводящего канала и увеличению его сопротивления. Можно подобрать такое напряжение на затворе, при котором токопроводящий канал будет полностью ликвидирован, т.е. перекрыт (это напряжение называется напряжением отсечки).

МДП-транзисторы (структура металл–диэлектрик–полупроводник, рис. б) выполняют из кремния. В качестве диэлектрика используют окисел кремния . Отсюда другое название этих транзисторов – МОП -транзисторы (структура металл–окисел–полупроводник). Наличие диэлектрика обеспечивает высокое входное сопротивление этих транзисторов (1012…1014 Ом).

Принцип действия МДП -транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под действием поперечного электрического поля. Приповерхностный слой полупроводника является токопроводящим каналом этих транзисторов. МДП –транзисторы выполняют двух типов: со встроенным и индуцированным каналом. Включение канала в электрическую цепь обеспечивается с помощью двух металлических электродов, один из которых называется истоком(И), а другой – стоком(С). Управление током канала осуществляется с помощью затвора (З), отделенного от канала слоем диэлектрика. Четвертым электродом является подложка (П), которая выполняет вспомогательную функцию и служит выводом исходной полупроводниковой пластины. МДП -транзисторы могут быть с каналом n- или p-типа.




Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.