Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Полевой транзистор с управляющим переходом



Полевой транзистор с управляющим переходом (ПТУП) отличается по структуре от МДП-транзистора. У ПТУП затвор выполнен в виде области типа, прибор представляет собой тонкую пластину из кремния ( типа). Действие этого прибора основано на зависимости толщины перехода от приложенного к затвору напряжения. Поскольку обедненный слой почти полностью лишен подвижных носителей заряда, его проводимость практи­чески равна нулю. Ограничивая с одной из боковых сторон токопроводящий канал обедненный слой определяет сечение или эффективную толщину этого ка­нала. Область полупроводника, поперечное сечение которого управляет­ся внешним напряжением, называется каналом. В зависимости от электро­проводности полупроводника канал может быть типа или типа.

 

Междуэлектродные на­пряжения сток-исток и затвор-исток отсчитываются относительно истока. Для эффективного управления сечением канала управляющий переход делают резко несимметричным так, чтобы запирающий слой в основном располагался в толщине полупроводниковой пластины, имеющей относительно малую концентрацию основных носителей заряда ( ). При подаче отрицательного напряжения на затвор запирающий слой расширяется, что приводит к сужению токопроводящего канала и увеличению его сопротивления. Можно подобрать такое напряжение на затворе, при котором токопроводящий канал будет перекрыт (это напряжение называется напряжением отсечки).

 

 




Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.