Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Структура тиристора



Чим нижче концентрація домішки, тим більше робочі напруги. Пластина міститься в піч, де відбувається дифузія домішки p-типу й n- типу.

 

Тиристор можна розглядати як два транзистори p - n- -p і n- -p –n+

Схематично ця схема виглядає так:

У результаті подвійної дифузії виходить четырехобластная структура, де області p1 і p2 має однакову концентрацію (більш високу, чому n1), а n2 має ще більш високу концентрацію, причому глибина переходів П1 і П2 однакова, а перехід П3 має меншу глибину, чому П1 і П2. Переходи П1 і П2 мають висока пробивна напруга, яка визначається концентрацією домішки в області n1. Перехід П3 має мала пробивна напруга. Якщо напруга по полярності + на аноді, а – на катоді, то переходи П1 і П3 виявляються зміщені в прямому напрямку й уся напруга анод-катод прикладається до П2, тому цей перехід визначає робоча напруга тиристора.




Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.