Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Структура тиристора



Чим нижче концентрація домішки, тим більше робочі напруги. Пластина міститься в піч, де відбувається дифузія домішки p-типу й n- типу.

 

Вираження для ВАХ тиристора:

З вираження для ВАХ тиристора - коефіцієнт підсилення БПТ p-n-p типу, - коефіцієнт підсилення БПТ n-p-n типу.

Увівши струм управління електрода можна побільшати й , отже можна побільшати.

Враховуючи залежність коефіцієнтів підсилення БП транзисторів від струму, видне, що при деякому значенні струму анода, сума коефіцієнтів стає близькою до 1, а струм анода тиристора прямує до нескінченності. Це говорить про те, що в цей момент відбувається перемикання тиристора із закритого у відкритий стан. Вплив УЭ проявляється в тому, що струм, що задається через УЭ, збільшує струм, що протікає через перехід П3 і тим самим сприяє більш швидкому збільшенню коефіцієнта підсилення n-p-n транзистора. Чим більше тем менше напруга включення.

При деякому струмі ділянка негативного на ВАХ зникає, Це струм випрямлення.

Перемиканню зі зворотного у відкритий стан може сприяти й лавинне множення на переході П2. Тому що зі збільшенням напруги на тиристорі починається лавинне множення носіїв, яке приводить до збільшення струму через тиристор і тим самим сприяє збільшенню коефіцієнтів підсилення БПТ і . У цьому випадку:

М- М- коефіцієнт лавинного множення.

У тиристора низькі коефіцієнти підсилення (0,1; 0,2; 0,3).

Тиристор забезпечує високу щільність струму.




Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.