Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Диодные й транзисторні ключі



Найпростішими базовими елементами імпульсних і цифрових пристроїв є диодные й транзисторні ключі. Якщо ключ уважати ідеальним, то параметри замкненого ключа наступні: R=0; I=∞; Uкл=0, а розімкнутого R=∞, I = 0, Uкл=∞.

Параметри реального ключа: Uкл = E, I = E/R, R = Ri.

 

;

 

Малюнок 1.1 – ВАХ ідеального (а), реального (б), диодного (в) ключів

Враховуючи, що U граничне (відмикання) для кремнієвих діодів становить (0,4-0,6)В, германиевых (0,2-0,3)В, а спадання напруги ∆Uпрямое = (0,6-0,8)У и (0,2-0,4)В (відповідно), тому для збільшення завадостійкості диодного ключа необхідно подавати зсув.

 

Малюнок 1.2 – Диодный ключ

Для реалізації логічних функцій багатьох змінних застосовують трохи паралельно включених диодных ключів.

Транзисторні ключі можуть бути реалізовані за схемою ПРО, ОК, ОЭ й ключ-зірка. Найбільше застосування схема ОЭ.

 

 

Малюнок 1.3 – Схема транзисторного ключа

 

Транзистор може перебувати в режимі відсічення ( ; транзистор «перетворюється» у генератор струму причому ) і насичення ( і транзистор «перетворюється» в еквіпотенціальну крапку, тобто єдиним потенціалом усіх електродів).

Під впливом керуючого сигналу (Uвх) транзистор перемикається не миттєво, а часом обумовленим параметрами перехідного процесу схеми, що виникають за рахунок елементів (паразитних ємностей, ємностей переходів) і ступеня (коефіцієнта) насичення транзистора:

tзад– перезарядом Свх від напруги UБзап до Uпор;

t01– процесом зміни концентрації носіїв у базі й перезарядом бар'єрної ємності колекторного переходу;

tрасс– часом рассасывания надлишкових носіїв у базі (поки струм бази не поменшається до рівня границі Iб насичення);

t10– зв'язаний зі швидкістю зменшення заряд у базі (інерційністю транзистора)




Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.