Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Базовими ЛЭ є ЛЭ АБО-НЕ (малюнок 1.4, а) і Й-НЕ (малюнок 1.4, б).



 
 

 


 

 

Малюнок 1.4 – ДТЛ АБО-НЕ (а) і Й-НЕ (б)

 

Тут послідовне з'єднання елементів АБО на діодах VD1…Vdm і елемента НЕ транзисторному ключі ОЭ (інверторі). Коли на входах Х1... Хм відсутній сигнал (рівень логічного нуля) транзистор VT закритий ( ) і F=1. При вступі високого рівня (рівня логічної одиниці). Хоча б на один із входів транзистор відкриється ( ) і F = 0. Зв'язок між ЛЭ И и інвертором здійснюється за допомогою кремнієвих діодів Vdcm 1, 2 (джерело постійного зсуву UVD). При подачі логічної одиниці на всі входи діоди VD1…Vdm закриті. У ланцюзі протікає струм . Тому VT відкритий і насичений , F=0. При подачі хоча б на один із входів логічного 0 утворюється ланцюг і эмиттерный перехід VT і ланцюг VDсм 1,2 шунтируются ланцюг провідному Vdx ( , VT - закритий, , F=1).

Для підвищення стабільності, перешкодозахищеності застосовують высокопороговые ДТЛ на трьох транзисторах з эмиттерным повторювачем (складним інвертором).

Основна перевага ДТЛ перед більш ранньою технологією РТЛ — можливість створення великої кількості входів. Затримка проходження сигналу по-давньому достатньо висока, через повільний процес витоку заряду з бази в режимі насичення (коли всі входи мають високий рівень) при подачі на один із входів низького рівня. Цю затримку можна зменшити підключенням бази транзистора через резистор до загального проведення або до джерела негативної напруги.

3 Транзисторно-транзисторні логічні елементи (ТТЛ)

Особливість: наявність на вході многоэмиттерных транзисторів (МЭТ), які реалізують необхідну ЛФ (АБО, И). МЭТ є еквівалентом декількох транзисторів, його еквівалентна схема має вигляд, (малюнок 1.5).

 

 

Малюнок 1.5 – МЭТ Малюнок 1.6 – ТТЛ І-НЕ із простим інвертором

Особливість МЭТ (малюнок 1.5): безпосередня взаємодія эмиттеров через бази відсутні. Можуть працювати як у позитивній логіці (виконується «И») так і в негативній (виконується АБО). На малюнку 1.6 показаний ТТЛ на базі МЭТ із простим інвертором ( І-НЕ). Тут роль діодів у ДТЛ відіграють эмиттерные переходи, а роль діода, що зміщає (Vdсм 1, 2) колекторний перехід Б-К.

Для підвищення навантажувальної здатності ЛЭ й швидкого перезаряду навантажувальної ємності до розглянутої схеми додають складний вихідний каскад (малюнок 1.7).

 

Малюнок 1.7 – Схема елемента ТТЛ зі складним інвертором

При цьому в ланцюг эмиттера транзистора VТ2 включають резистор R2, у результаті утворюється каскад із двома протифазними виходами (збільшення напруги на эмиттере противофазны збільшенням напруги на колекторі VТ2). Ці вихідні сигнали забезпечують потрібні для вихідних транзисторів VТ3 і VТ4 сигнали керування. Вихідний каскад не змінює логічної операції, виконуваної ЛЭ, забезпечуючи малий вихідний опір схеми при будь-якому її стані. При нульовому стані виходу насичений транзистор VТ4, при формуванні на виході високого рівня логічної одиниці транзистор VТ4 замкнений, а транзистор VТ3 включається за схемою із загальним колектором (працює в схемі эмиттерного повторювача). Таким чином, при обох станах виходу ЛЭ йому забезпечується низький вихідний опір.

Діод VD уводиться в схему для узгодження потенціалів при запиранні транзистора VТ3.

Найпростіший базовий елемент ТТЛ виконує логічну операцію Й-НЕ, у принципі повторює структуру ДТЛ мікросхем і в той же час за рахунок використання многоэмиттерного транзистора, поєднує властивості діода й транзисторного підсилювача що дозволяє побільшати швидкодію й енергоспоживання, знизити споживану потужність і вдосконалити технологію виготовлення мікросхеми.




Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.