Мои Конспекты
Главная | Обратная связь


Автомобили
Астрономия
Биология
География
Дом и сад
Другие языки
Другое
Информатика
История
Культура
Литература
Логика
Математика
Медицина
Металлургия
Механика
Образование
Охрана труда
Педагогика
Политика
Право
Психология
Религия
Риторика
Социология
Спорт
Строительство
Технология
Туризм
Физика
Философия
Финансы
Химия
Черчение
Экология
Экономика
Электроника

Логічні елементи ТТЛ зі стробированиями із трьома станами виходу



Базові ТТЛ, які ми розглянули вище, мають ряд недоліків, одним з них - значне споживання енергії. Цей недолік відсутній у ЛЭ із трьома станами.

У ТТЛ із трьома станами (малюнок 1.8) у складному інверторі діода VD ні, замість нього зсув потенціалу виконує перехід база - эмиттер транзистора, що включається на вході транзистора VТ3, що й дає до того ж додаткове посилення струму. Це збільшує навантажувальну здатність і швидкодія елемента.

 

Малюнок 1.8 – Схема елемента ТТЛ із трьома станами виходу

У них на відміну від інших ЛЭ є третій стан, при якому транзистори () замкнені сигналом керуючого виводу. І їхній вихідний опір великий і ЛЭ (ИМС) повністю відключена від навантаження. Цей стан називається высокоимпедансным. При використанні таких ЛЭ їх виходи підключають до одному навантаженню.

 

Малюнок 1.9 – Схема включення ЛЭ із трьома станами виходу

Керуваннямікросхем організує так, що в будь-який момент часу всі мікросхеми, крім однієї, перебувають у высокоимпедансном стані, тобто виходить як би штучна внутрішня комутація. Т.о. вдається по одній шині передавати в різних напрямках інформацію від декількох джерел сигналу й скоротити число (кількість) інформаційних магістралей. Вхід включення третього стану має мітку (EZ), а вихід, що має высокоимпедансное стан (Z) або ( ). Керування EZ може бути як прямим, так і інверсним, (малюнок 1.9).

А в ЛЭ ТТЛ зі стробированием логічні функції виконуються в тому випадку, якщо на додатковому стробирующем вході (C) є сигнал логічної одиниці (Л1).




Поиск по сайту:







©2015-2020 mykonspekts.ru Все права принадлежат авторам размещенных материалов.