Использует контактные явления между полупроводником
рис.13 рис.14
и металлом. Эффект Шотки возникает лишь в том случае, когда работа выхода электронов в вакуум из металла больше, чем работа выхода электрона из полупроводника (рис.13).
При контакте полупроводника с металлом за счёт разности энергии выхода электронов из полупроводника диффундируют в область металла, тем самым создают p-n-переход (рис.14). За счёт отсутствия не основных носителей заряда (дырок) в металле переход из открытого в закрытое состояние практически без инерционен (время перехода 1¸2 нс).
Схема включения диода Шотки при ключевом режиме работы транзистора (рис.15):
рис.15
Порядок выполнения работы .
Внимание! Сменные панели с номерами , расположенными в нижних углах , устанавливаются на коммутирующей плате1. Сменные панели с номерами в верхнем углу устанавливаются на коммутирующей плате 2.
1.Дов выполнения работы по снятию вольт-амперной характеристики /ВAX/ диодов необходимо: